Начало поставок HBM3E для нужд NVIDIA компанией Samsung может быть отложено на полгода
По информации ZDNet, южнокорейская компания Samsung Electronics до сих пор не может победить проблемы, препятствующие началу массовых поставок 12-ярусной памяти HBM3E, удовлетворяющей требованиям NVIDIA. Помимо проблем с базовым кристаллом стека, Samsung сталкивается с дефектами при производстве микросхем DRAM по технологии класса 1α. Конкурирующие SK hynix и Micron довольствуются более зрелой технологией 1β, причём первая ограничивает количество используемых EUV-слоёв одной штукой.
Первоначально Samsung пыталась увеличить количество слоёв микросхем DRAM, используемых в стеке HBM3E, производимых с применением EUV-литографии, с целью снижения себестоимости, но эффект получился обратным, поскольку стабильного качества продукции добиться так и не удалось. Кроме того, в случае с 8-слойными стеками HBM3E выяснилось, что они уступают в скорости передачи информации изделиям конкурента на 10%. Необходимость внести изменения в дизайн микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, отодвинет начало массовых поставок ещё на полгода, и для Samsung это окажется существенным ударом по её конкурентным позициям.