Intel представила технологию EMIB-T — прорыв в производстве полупроводников
EMIB-T — это эволюция технологии Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), использующей кремниевые мостики для соединения нескольких чипов в одном корпусе. В отличие от стандартного EMIB, новая версия применяет сквозные кремниевые переходы (TSV), снижая энергопотери. Это критично для интеграции HBM4 — памяти нового поколения с высокой пропускной способностью. Кроме того, EMIB-T поддерживает стандарт UCIe, позволяющий чипам от разных производителей работать вместе.
Технология позволяет создавать чипы размером до 120×180 мм, вмещающие до 38 мостиков и 12 кристаллов. Плотность соединений достигает 45 микрон, с планами на 25 микрон в будущем. Для стабильности сигналов Intel интегрировала мощные MIM-конденсаторы. EMIB-T совместима с органическими и стеклянными подложками, что открывает перспективы для масштабирования.
Источник Еще новости... Hyundai и Kia российской сборки, известные под брендом Solaris, сильно подешевели: Solaris HC (бывший Hyundai Creta) теперь дешевле 2 млн рублей 02.06.2025 Каждая четвёртая российская компания регулярно использует ИИ в работе 02.06.2025 Учёные ПНИПУ разработали новый материал для воздушных фильтров 01.06.2025 В новом тесте на автономность сверхтонкий Samsung Galaxy S25 Edge оказался одновременно и лучшим, и худшим: он разрядился быстрее 9 других флагманов, но показал высокую эффективность 01.06.2025 Супертонкий Samsung Galaxy S25 Edge проверили на прочность корпуса 01.06.2025 Как подорожали популярные в России кроссоверы за 10 лет? Volkswagen Touareg — почти в 4 раза, Hyundai Santa Fe — в 3,7 раза, Toyota RAV4 — в 3,5 раза 01.06.2025 Загрузить еще...