Квантовые точки улучшат свойства элементов памяти
Учёные ИФП СО РАН исследуют использование квантовых точек для элементов универсальной памяти: GaN/AlN-квантовые точки демонстрируют энергию локализации ≥1,5 эВ, что обеспечивает хранение заряда до десяти лет.
Квантовые точки улучшат свойства элементов памяти • Опубликовано на FiNE NEWS
